China. – Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan en Shanghái, China, ha presentado un dispositivo de memoria flash ultra rápido llamado “Poxiao”. Este dispositivo del tamaño de un grano de arroz puede borrar y reescribir datos en solo 400 picosegundos, lo que es 100.000 veces más rápido que la memoria flash convencional.

Con una velocidad de operación de 2.500 millones de ciclos por segundo, “Poxiao” podría revolucionar la industria de la tecnología al permitir velocidades de cálculo y almacenamiento más rápidas en un solo semiconductor. Esto podría reducir la latencia en aplicaciones de inteligencia artificial y optimizar el consumo energético de centros de datos.

La innovación de “Poxiao” radica en un mecanismo que transfiere electrones directamente a un estado de alta energía sin pasar por procesos previos de calentamiento. Los prototipos ya han entrado en fase de producción a pequeña escala, lo que permitirá evaluar su rendimiento en entornos industriales y ajustar los procesos de fabricación para futuras ampliaciones.

El equipo responsable tiene como objetivo escalar la tecnología para alcanzar decenas de megabytes en un plazo de cinco años y obtener licencias comerciales. Si se logra, “Poxiao” podría ser un paso decisivo en la industria de la tecnología y abrir nuevas posibilidades para aplicaciones de inteligencia artificial y almacenamiento de datos.